承接项目类型
1、Si trench MOS设计开发
2、SGT设计开发
3、SJ MOS设计开发
4、GaN HEAT设计开发
5、Trench MOS设计开发
6、LDMOS设计开发
7、JBS设计开发
8、IGBT设计开发
专家列表
团队有3名成员，包含Si trench MOS/SGT/SJ MOS/GaN Heat等
功率器件研发/存储研发
工作30年
1、约30年半导体R&D经验。
2、11年Flash E2PROM，MCU只读存储器，逻辑芯片和6T SRAM开发经验，包括工艺和Cell研发。
3、18年功率MOSFET研发经验，包括Si trench MOS，SGT，SJ MOS，以及GaN HEMT。
Trench MOS/LDMOS/工艺平台
工作7年
1、国内知名高校微电子学博士。
2、7年SGT，Trench MOS和LDMOS研发经验。
3、熟悉8到12寸Fab工艺平台。
功率器件研发/工艺
工作6年
1、海外知名科研机构微电子学博士。
2、6年功率器件研发经验，包括JBS，SGT，SJ MOS和IGBT。
3、精通Si和SiC功率器件工艺，熟悉GaN器件工艺。
报名渠道
微信：xcaiqyj
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